東京大学などの国際共同研究グループは、わずか原子1層分という極薄の半導体を開発したと発表した。基板の上に半導体を均一につくることにも成功。極薄のスマートフォンなど、高性能デバイスの実現につながる可能性がある。
半導体微細化の限界と新材料競争
半導体の微細化は、テクノロジーの進展に欠かせない。しかし、現在主流のシリコン半導体は、原子数層からなる厚さ数ナノメートル（ナノは10億分の1）で物理的限界を迎えつつある。世界中で、新たな半導体材料の開発競争が続いている。
p型半導体の開発課題と今回の成果
その中で、電子が流れる「n型半導体」の開発は進んできたが、電子が抜けた穴が動くことで、プラスの電気が流れるように振る舞う「p型半導体」は、うまく作れずにきた。
今回、研究グループは、ホウ素を使うことで、このp型半導体を原子1層の厚さで基板上に均一に形成することに成功した。直径約5センチの基板上に作られた新しいp型半導体の写真も公開されている。
