キオクシアは2024年7月3日、第10世代となるTLC NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」シリーズのサンプル出荷を開始したと発表した。本製品はエンタープライズ・データセンター向けに採用される予定で、特にAI（人工知能）向けストレージ需要に応える製品ラインアップの強化を図る。
第10世代BiCS FLASHの技術的特徴
第10世代BiCS FLASHは、332層の積層を実現し、ビット密度を大幅に向上させた。従来の第8世代と比較して、インタフェース速度は33%高速な4.8Gb/秒を達成。書き込み時の電力効率は18%、読み出し時は30%改善されている。これらの性能向上は、第8世代から採用されているCMOS directly Bonded to Array技術とOn Pitch Select Gate Drain技術を活用したことによる。
製造拠点と製品戦略
サンプル出荷は、キオクシアの北上工場第2製造棟で行われる。同社はコスト面を重視した第9世代BiCS FLASHシリーズに加え、積層数を増やして大容量・高性能を追求する第10世代シリーズの2製品ラインを用意し、顧客の多様なニーズに対応する。
—
キオクシアは発表に際し、「今後も、『記憶』で世界をおもしろくするというミッションのもと、グローバルなパートナーシップを強化しながらさらなる技術革新を追求し、AIインフラを支える製品を提供してまいります」とコメントしている。
