経産省、イスラエル半導体タワーに最大1600億円助成富山・新潟で次世代半導体生産へ

経済産業省はイスラエルのタワーセミコンダクター日本法人に最大約1600億円の助成を決定。富山と新潟の拠点で光電融合技術向け半導体を生産し、2027年5月から新潟で開始。総投資額約6000億円、月産最大1万8000枚を見込む。

日本ニュース 2026/07/15 07:13

経済産業省は14日、イスラエルの半導体製造大手タワーセミコンダクターの日本法人に対し、最大約1600億円の助成を行うと発表した。同社は富山県と新潟県にある生産拠点で、光電融合と呼ばれる次世代技術に用いる半導体を製造する計画だ。

光電融合技術とは

光電融合は、光信号を電気信号に変換せずに情報を伝達できる技術。消費電力が少なく、高速・大容量通信が可能となる。国内ではNTTがこの技術を活用した「IOWN（アイオン）」の開発を進めている。タワー社の生産する半導体は、このIOWNの中核部品として期待される。

タワー社はまず2027年5月から新潟県の拠点で生産を開始し、その後富山県の拠点でも立ち上げる。300ミリシリコンウェハー換算で、最大で合計月1万8000枚の生産能力を見込む。全体の投資額は約6000億円にのぼる。

—

今回の助成は経済安全保障推進法に基づくもの。同法では半導体を「特定重要物資」に指定し、国の支援対象としている。タワー社は「供給確保計画」を申請し、認定を受けた。計画では、投資完了後10年間の継続生産義務を負うほか、NTTなど国内企業との連携を進める方針。

赤沢亮正経済産業相は「本助成により、半導体の安定供給確保と次世代技術の国内実装を加速する」と述べている。タワー社の日本法人は、国内の半導体製造基盤強化に貢献すると期待される。