ファーウェイ、2031年までに1.4ナノ半導体設計へ 中国国内製造目指す
ファーウェイ、31年までに1.4ナノ半導体設計へ

中国の通信機器大手、華為技術(ファーウェイ)は8日までに、独自の新技術を駆使し、2031年までに回路線幅1.4ナノメートル(ナノは10億分の1)相当の半導体を設計する計画を明らかにした。ファーウェイは米国の半導体輸出規制の影響で、先端半導体の調達が制限されてきたが、同水準の性能を持つ半導体を中国国内で製造することを目指している。

米国規制による影響

ファーウェイは2019年、米政府の禁輸リストに指定され、先端半導体の入手が困難になった。第5世代(5G)移動通信システム対応のスマートフォンや、人工知能(AI)に使用される先端半導体が手に入らず、不利な状況が続いている。また、中国ではオランダ企業の最先端製造装置を調達できず、半導体の性能向上が遅れている。

研究開発の取り組み

ファーウェイは巨額の投資を行い、別のコストが高い方法で研究開発を進めている。2023年には5G対応の国産半導体を搭載したスマートフォンの発売にこぎ着けたものの、性能は劣るとされ、苦境が続いている。

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今回の計画は、ファーウェイが技術的自立を目指す重要な一歩と位置づけられる。中国国内での半導体製造能力の向上は、米国の規制に対抗するための鍵となる。ファーウェイは今後、設計から製造までの一貫した体制を構築し、先端半導体分野での競争力を取り戻すことを目指す。

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