TSMC、2029年に1.3ナノ半導体生産へ AI向け高性能化で微細化競争を主導

半導体受託生産で世界最大手の台湾積体電路製造（TSMC）は2026年4月23日、回路線幅1.3ナノメートル（ナノは10億分の1）に相当する次世代半導体の生産を2029年に開始すると発表しました。人工知能（AI）向けに性能を引き上げることで、半導体の微細化競争を引き続き主導する考えです。

TSMCの微細化ロードマップ

TSMCは2025年に2ナノ品の量産を台湾で開始しました。2028年には1.4ナノ品の量産を始める予定で、今回発表された1.3ナノ品は、さらに小さい面積で1.4ナノ品と同等の性能を発揮できるとされています。

魏哲家会長兼最高経営責任者（CEO）は「TSMCの技術は業界をリードしている。さらに改善を進める」とコメントしました。

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TSMCは最先端の技術を台湾の工場で先行させる方針を取っています。一方、建設中の熊本第2工場では2028年に3ナノ品の量産を始める予定です。

AIやスマートフォンで使われる高性能な半導体は世界的に需要が高まっています。TSMCは米エヌビディアなどからの受注が多く、生産拡大と高性能化を急いでいます。日本企業では、先端半導体の国産化を目指すラピダスが2ナノ品の量産を目指しています。